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Innovation IT RAMNDDR4 SO 2666 4GB Innovation IT CL19-19-19 1.2V - 4 GB

Art. Nr.: 1124141
Art. Nr.:
EAN: 4251538811453
OEM-Hersteller: Innovation IT
OEM-Nr.: 4251538811453
Technische Daten
Artikeltyp: DDR4 SDRAM
Artikelart: 2.666 MHz
Kapazität: 4 GB
Speicherkapazität: 4 GB
Spannung: 1,2 V
Produktbeschreibung
RAMNDDR4 SO 2666 4GB Innovation IT CL19-19-19 1.2V - 4 GB

Das 4 GB DDR4 SDRAM-Speichermodul von Innovation Technologies bietet eine zuverlässige und effiziente Lösung zur Steigerung der Systemleistung. Mit einer Datenübertragungsrate von 2666 MT/s und der Einhaltung der PC4-21328-Standards gewährleistet dieses Speichermodul reibungsloses Multitasking und einen nahtlosen Betrieb für verschiedene Anwendungen. Der DIMM-288-Pin-Formfaktor ist für die einfache Installation in kompatiblen Systemen ausgelegt und bietet eine konsistente Geschwindigkeit und Reaktionsfähigkeit bei allen Aufgaben.
  • Zuverlässige Leistung
    Dieses DRAM-Speichermodul bietet eine stabile und effiziente Leistung zur Unterstützung einer Vielzahl von Rechenaufgaben, sodass sich Benutzer im täglichen Gebrauch auf seine Fähigkeiten verlassen können.
  • Effiziente Datenübertragung
    Mit einer Datenübertragungsrate von 2666 MT/s verbessert dieses Speichermodul die Geschwindigkeit der Datenverarbeitung und ermöglicht einen schnelleren Zugriff auf Anwendungen und Dateien.
  • Benutzerfreundliche Installation
    Das DIMM-288-Pin-Design erleichtert die Installation in kompatiblen Motherboards und gewährleistet, dass Benutzer den Speicher mit minimalem Aufwand aufrüsten oder austauschen können.
  • Energieeffizienter Betrieb
    Mit einer Versorgungsspannung von 1,2 V bietet dieses Speichermodul Energieeffizienz und ist somit eine geeignete Wahl für Systeme, bei denen der Stromverbrauch reduziert werden soll.
  • Optimale Latenzzeiten
    Mit einer CAS-Latenz von CL19 bietet dieses Speichermodul eine ausgewogene Leistung und unterstützt eine effiziente Datenabfrage und -verarbeitung während des Betriebs.